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半导体清洗技术
晶体硅太阳能电池的制造工艺
LED芯片的制造工艺流程简介
LED外延片简介
传统的湿法清洗
LED外延片介绍及辨别质量方法
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About SPMC
 
硅密(常州)电子设备有限公司(SPMC)是设立在常州电子产业园的美商独资企业,成立于2004年,专业提供半导体湿法方面的解决方案。拥有丰富的行业经验,提供半导体、太阳能、LED湿法设备的设计、制造、维护和技术支持服务。
 
 
硅密(常州)电子设备有限公司
常州新北区电子产业园新科路21号
 
工作时间
周一~周五8:30-17:30

电话:(0519) 85486173
传真:(0519) 85486203

传统的湿法清洗


湿法清洗技术

1.改进的RCA清洗法

RCA清洗法已成为多种前后道清洗的基础工艺,目前大多数厂家使用了改进的RCA法。最初的RCA法依靠溶剂、酸、表面活性剂和水,在不破坏圆片表面特征的情况下喷射、净化、氧化、蚀刻和溶解圆片表面的污染物、有机物和金属离子污染。而改进的RCA法通过添加表面活性剂和HF,并采用稀释RCA工艺来改善清洗效果。

2. 稀释化学法

在改进RCA清洗法的基础上,对于1号标准清洗液SC-1和2号标准清洗液SC-2的混合溶剂采用稀释化学法,不但可以大量节省化学试剂和去离子水,而且SC-2混合溶剂中的H2O2可以完全被清除掉。稀释APM SC-2混合溶剂(1:1:50)能够有效地从晶片表面去除颗粒和碳氢化合物,强烈稀释 HPM混合溶液(1:1:60)和稀释氯化氢(1:100)在清除金属时能像SC-2溶剂一样有效。采用稀释氯化氢(HCl)溶液的另一优点是,在低HCl浓度下颗粒不会沉淀,因为pH值在2~2.5范围内硅与硅氧化物是等电位的,pH值高于该点,圆片表面带有网状负电荷;低于该点,圆片表面带有网状正电荷。这样当pH值>2~2.5时,溶液中的颗粒与硅表面均带有相同的电荷,颗粒与硅表面之间形成静电屏蔽,硅片在溶液中浸泡期间受到屏蔽并阻止颗粒从溶液中沉积到硅表面。但当pH值<2时,硅片表面带正电荷,而颗粒带有负电荷,这样就不致产生屏蔽效果。因此有效地控制HCl浓度,可以阻止溶液中颗粒沉积到圆片表面[4-5]。

3.单晶片清洗法

因大直径圆片清洗采用上述方法不易完成其清洗过程,故通常采用单晶片清洗法。清洗过程是在室温下重复利用DI-O 3与稀释的氢氟酸(DHF)清洗液,臭氧化的DI水(DI H2O-O3)产生氧化硅,稀释DHF蚀刻氧化硅,同时清除颗粒和金属污染物。根据蚀刻和氧化要求,采用较短的喷淋时间就可获得良好的清洗效果,且不发生交叉污染。最后的冲洗可以采用DI H2O,亦可采用DI H2O-O3。为了避免水渍,可采用浓缩大量氮气的异丙基乙醇(IPA)进行干燥处理。单晶片清洗具有比改进的 RCA清洗法更佳的效果,清洗过程中通常再循环利用DI H2O及DHF,以此来降低化学品的消耗量,同时提高圆片的成本效益

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